2023年北京海淀区高三一模物理反馈试题解析版（计算题第2题）

（1）若虚线MN右侧的空间不存在磁场，求

b.导体框中产生的感应电动势大小E；

（2）若虚线MN右侧存在垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小恒为B0，如图3所示。求t=3/2*t0时导体框受到的安培力F的大小和方向。

分析与解答：

本题主要考查法拉第电磁感应定律的定义式，磁场的叠加以及安培力等相关计算。
(www.ws46.cOm)

（1）通过导体框某横截面的电荷量q=It=E/R*t=

(2)当t=3/2t时，由于有半圆加了B0的匀强磁场，那么导体线框所受到的安培力分为两部分：

左半圆，受到的磁场强度B=1/2B0，垂直纸面向里的磁场，左半圆受到的安培力方向向右。大小为等效为长度为圆的直径的导线的受力。

那么根据安培力公式：F左=BIL=1/2B0*E/R*D

同理我们对右半圆进行分析：右半圆受到磁场B0的作用，方向垂直纸面向外。

但是根据左手定则，右半圆的等效于是长度为D，电流向上的直导线受力，其受到的安培力方向向右。

F右=BIL=B0*E/R*D

那么，t=3/2*t0时导体框受到的安培力F的大小等于F左 F右。

F安=F左 F右=3/2*B0*E/R*D=

以上就是本题的全部分析与解答。

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