斯格明子晶格的微观运动：交流驱动下的动力学研究
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凝聚态物理学对拓扑自旋纹理，特别是磁性斯格明子，产生了浓厚的兴趣。这些纳米级的拓扑保护磁涡旋由于其低能耗操纵和快速运动的潜力，在未来的自旋电子器件中具有巨大的前景。在表现出斯格明子晶格形成的材料中，MnSi由于其相对较高的居里温度和通过外加磁场诱导斯格明子的容易性而成为一个突出的候选者。 MnSi是一种著名的手性磁体，在特定的温度和磁场条件下可以形成斯格明子晶格。小角度中子散射（SANS）技术使得在纳米尺度上观察这些结构成为可能。之前的研究主要集中在静态特性上，但最近发表在《物理评论B》的研究使得在交变电流下探索动态行为成为可能。
简要概述在深入探讨动力学之前，有必要对磁性斯格明子有一个基本的了解。这些拓扑对象的特点是空间变化的磁化矢量，形成了一个球面到二维平面的平滑映射。斯格明子的拓扑保护赋予了它们非凡的稳定性。在某些材料（如MnSi）中，这些斯格明子可以排列成周期性的晶格，表现出集体行为。 SANS是一种研究纳米尺度磁性结构的不可或缺的技术。中子具有磁矩，可以与电子自旋产生的磁场相互作用。通过分析入射到样品上的中子的散射图案，研究人员可以提取有关磁性结构的尺寸、形状和取向的宝贵信息。对于斯格明子来说，SANS可以直接可视化斯格明子晶格及其在外界扰动下的演化。 实验装置和方法为了研究MnSi中磁性斯格明子晶格在交流条件下的动力学，需要一个复杂的实验装置。将MnSi单晶安装在低温恒温器中以控制温度，因为斯格明子的形成通常是温度依赖的。对样品施加交流电流，在斯格明子上产生洛伦兹力并驱动其运动。SANS仪器被放置以捕获入射到样品上的中子的散射图案。通过改变交流频率和振幅，研究人员可以研究斯格明子晶格对不同驱动力的响应。 斯格明子晶格的动力学对MnSi样品施加交流电流导致作用于斯格明子晶格的力之间发生复杂的相互作用。洛伦兹力驱动斯格明子沿着垂直于电流和磁场的方向运动。然而，斯格明子也会受到晶格缺陷和杂质的钉扎力，阻碍其运动。 在低交流频率下，斯格明子晶格表现出塑性变形。斯格明子集体运动，但由于钉扎作用，晶格结构发生畸变。这种塑性变形在SANS图案中表现为斯格明子布拉格峰的旋转和展宽。随着交流频率的增加，斯格明子响应钉扎力的时间减少，导致塑性变形减少。 在超过临界频率后，斯格明子晶格从塑性状态转变为弹性状态。在这种状态下，斯格明子在其平衡位置附近振荡，而没有明显的晶格变形。SANS图案表现出更尖锐的布拉格峰，表明斯格明子晶格具有更高的有序性。 位错动力学和交流频率依赖性观察到的斯格明子晶格行为可以归因于晶格内位错的动力学。位错是破坏斯格明子规则排列的拓扑缺陷。在低频下，位错可以在晶格中积累和移动，导致塑性变形。在较高频率下，位错没有足够的时间移动，斯格明子晶格表现出弹*行为。 交流频率在控制位错密度方面起着至关重要的作用。通过调整频率，研究人员可以操纵斯格明子晶格的动力学，并有可能将其响应优化用于特定的应用。 结论在交流电流作用下，对MnSi中磁性斯格明子晶格的详细动力学研究代表了我们对这些迷人拓扑物体的理解向前迈出的重要一步。SANS和交流电流操纵的结合为洛伦兹力、钉扎力和位错动力学之间的相互作用提供了宝贵的见解。这些发现对于开发基于斯格明子运动的新型自旋电子器件具有深远的影响。 |
